已投企业新闻 |芯塔电子SiC MOSFET通过HV-H3TRB加严可靠性考核！

近日，继芯塔电子自主研发的1200V/80mΩSiC MOSFET器件获得全套AEC-Q101车规级可靠性认证后，又成功通过第三方权威检测机构（广电计量）高压960V H3TRB（HV-H3TRB）可靠性考核。此举标志着芯塔电子跻身为国内少数SiC MOSFET产品通过双重考核的厂商之一。

AEC-Q101是汽车行业最为重要的的国际标准之一，也是国际汽车行业通用的技术规范，汽车电子必须获得的认证之一。对于1200V耐压器件，AEC-Q101在高压高湿高温反偏（HTRB）考核标准中耐压通常为100V。HV-H3TRB主要是针对高温高电压环境下的失效的加速实验。考核中，1200V耐压器件的耐压提高到960V，这对器件的设计、制造及封装技术提出了更严苛的要求。因而通过HV-H3TRB可靠性验证，意味着功率器件在极端运行环境下仍有优良耐受能力及使用寿命。当前，获得AEC-Q101车规级认证并通过HV-H3TRB可靠性考核逐渐成为各大主流汽车及光伏储能厂家对高可靠性功率器件的通用要求。

自2022年初首款SiC MOSFET量产后，芯塔电子在不到两年的时间里先后推出了650V/1200V/1700V三个电压平台18种不同型号的产品，并拓展了TO-263-7、DFN 8*8、Toll等具有更小尺寸、更低寄生干扰、优异热管理能力及高可靠性的的封装外形。产品具有出色的热性能和电性能，以满足客户不同应用场景的多样化需求。截止目前，芯塔电子SiC MOSFET累计出货量已超过百万只，得到了市场的热烈响应及客户的广泛认可。