喜报！芯塔电子连续斩获3项国家发明专利！

科技创新不但是企业保持竞争力的核心要素，更是企业高速发展的“动力引擎”。作为一家研发基因浓厚的科技创新型企业，芯塔电子凭借厚积薄发的技术底蕴和持之以恒的研发投入，近日连续斩获3项国家发明专利！分别为“一种自对准的碳化硅MOSFET器件及其制备方法”、“一种SiC IGBT器件及其制备方法”及“一种低套准偏差的碳化硅芯片制造方法”。

发明专利是企业科研创新硬实力的直接体现。近年来，通过研发技术创新、强化专利布局等一系列举措, 芯塔电子的知识产权工作取得显著成效，专利数量和质量同步提升，截至目前共获得授权专利60余项。此次连续斩获的三项国家发明专利更进一步提升了芯塔电子在第三代半导体领域的竞争优势，并为公司未来的可持续发展奠定了坚实的基础。

创新发展是芯塔电子的精神底色和矢志不渝的崇高追求！近年来，作为国家高新技术企业和国内第三代半导体领军企业，芯塔电子一直践行“以创新为驱动”的公司价值观，不断开辟发展新领域、新赛道，不断塑造发展新动能、新优势，持续为客户提供更优质、更可靠的碳化硅产品及创新应用方案。

未来，芯塔电子将继续用创新能力为全球电力电子及新能源产业赋能。专注关键核心技术攻关，建设高端人才队伍，强化知识产权保护和成果转化工作，助力中国第三代产业高速发展！为构建清洁、低碳、安全、高效的能源体系贡献芯塔力量和芯塔智慧！