芯塔电子再获两项国家发明专利授权！

近日，芯塔电子自主研发的《肖特基二极管及其制作方法》《一种集成栅保护结构的SiC MOSFET器件》两项发明专利荣获国家知识产权局正式授权。在短短一个月内，芯塔电子连续获得5项发明专利授权，充分展示了公司在第三代半导体科技创新方面的实力与活力。两项发明专利的授权，不仅是对科研团队辛勤工作的肯定，更是对公司整体创新能力的认可。作为国家高新技术企业和安徽省专精特新企业，芯塔电子一直致力于技术创新和产品升级，不断将最新的科技成果转化为具有市场竞争力的产品。未来，芯塔电子将继续发挥在第三代半导体领域的拼搏创新精神，加大研发投入，推动更多创新成果的转化和应用，以更加优质的产品和服务回馈客户，为行业的发展贡献自己的力量。

两项发明专利的授权，不仅是对科研团队辛勤工作的肯定，更是对公司整体创新能力的认可。作为国家高新技术企业和安徽省专精特新企业，芯塔电子一直致力于技术创新和产品升级，不断将最新的科技成果转化为具有市场竞争力的产品。

未来，芯塔电子将继续发挥在第三代半导体领域的拼搏创新精神，加大研发投入，推动更多创新成果的转化和应用，以更加优质的产品和服务回馈客户，为行业的发展贡献自己的力量。