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破卷出新,行稳致远 | 芯塔电子交出2024年度亮眼答卷!

2025-01-22    浏览:137    来源:芯塔电子


祥蛇迎瑞,新禧启幕!值此新春佳节来临之际,芯塔电子向全球客户、合作伙伴及业界同仁,致以最热忱的问候与祝福!2024年,是芯塔电子奋勇前行、破卷出新的一年。芯塔人踔厉奋发、笃行不怠,诸多奋斗目标圆满完成,收获了众多可喜的成绩和丰硕的成果,交出了一份亮眼答卷。


产品研发领域,芯塔电子推出多款极具特色的 SiC MOSFET系列产品,连获9项国家发明专利授权。第三代 SiC MOSFET 实现国内率先量产并获重大技术突破:流片良率平均高达98%以上,Chip size 较上一代锐减32%,Rsp跃居国内前列。面对下游客户多样化应用场景,我们开发了丰富的封装形式,以更小尺寸、更低干扰、卓越热管理与高可靠性,满足多元市场需求。


市场开拓方面,芯塔电子多款核心产品连获AEC-Q101车规级及H3TRB加严可靠性双认证,深度绑定江苏新能源汽车T1重要客户,强势进军EV、光伏储能、充电桩、高端电源等关键领域头部客户阵营,核心功率模块产品在工业领域标杆客户处实现大批量交付。芯塔电子于新兴领域率先突围,成功帮助多家客户实现首次碳化硅芯片国产化替代,筑牢产业根基,提升行业自主可控水平。全年营收翻倍增长,市场版图持续扩张至20余个细分领域,连续3年斩获国内SiC设计企业十强殊荣。


在国内 SiC 材料与芯片制造产能迅猛扩张,甚至面临过剩危机的形势下,芯塔电子秉持合作共赢的核心理念,凭借敏锐的产业洞察力,积极布局。我们持续深化自身优势,与国内衬底、外延及器件 FAB 平台的领军企业达成深度合作,从原材料供应、芯片制造到产品研发,构建起紧密的产业生态闭环。通过这种深度绑定的合作模式,各方资源高效整合,技术得以共享,共同为 SiC 产业发展和市场拓展添砖加瓦,凝聚起强大的合力竞争优势。


芯塔电子加速技术创新与迭代,2025年将推出第四代平面MOSFET技术平台和SiC沟槽MOSFET技术平台,产品额定电压扩展至2200V以上。积极引入杰华特等多家战略合作伙伴,各方于市场拓展、应用深耕、技术攻坚、资源整合等维度协同发力,用先进的碳化硅技术推动电力电子系统的创新和产业升级,引领行业迈向新征程。


旧岁已展千重锦,新年再进百尺竿。站在新的起点,芯塔电子将继续秉持创新驱动、质量为先的发展理念,以更优品质的碳化硅产品为客户创造价值。持续深化产业生态融合,与合作伙伴共绘绿色能源科技宏伟蓝图!


再次恭祝各位新春快乐、蛇年大吉、阖家幸福、事业兴旺!




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