2025-03-07 浏览:137 来源:行家说三代半
回顾2024年,碳化硅和氮化镓行业在多个领域取得了显著进步,并经历了重要的变化。展望2025年,行业也将面临新的机遇和挑战。为了更好地解读产业格局,探索未来的前进方向,行家说三代半与行家极光奖联合策划了《第三代半导体产业-行家瞭望2025》专题报道。
本期嘉宾是芯塔电子董事长兼总经理 倪炜江。接下来,我们将继续邀请更多领军企业参与《行家瞭望2025》,敬请期待。
SiC产业进入“8英寸元年”
多领域需求持续爆发
行家说三代半:据行家说Research预估,2024年SiC功率半导体市场同比增长14%左右,增速较去年有所下降,您如何看待SiC需求出现较大波动的背后原因?
倪炜江:碳化硅市场增速放缓,我认为有宏观产业环境、终端渗透不足及技术瓶颈方面的原因。
终端市场方面,2024年车企对成本敏感度显著提升,中端车型因成本压力放缓技术切换,并转向IGBT+SiC混合方案,倒逼整个碳化硅产业链降本并开发高性价比产品。
光伏和储能领域的数据不及预期,尽管逆变器厂商加大了SiC方案验证,但实际装机量增速从40%回落至28%,部分项目因系统适配问题暂缓落地。
充电桩方面,配套800V平台的超充桩建设进度缓慢,削弱了SiC性能优势的兑现速度。
国内碳化硅产能由于供需错配和技术瓶颈,前期的产线小而散,新建产线的规模投资巨大,行业面临“低端过剩、高端紧缺”的双重困境,需通过技术升级淘汰落后产能,加速向大尺寸、高质量方向转型。
不过产业发展的积极信号不容忽视,当SiC成本降到IGBT的2倍以下时,其在电车主逆变器的渗透率预计会从当前的22%跃升至45%,进入400V电压平台车型。随着终端市场的复苏及新兴产业的发展,市场有望重回30%以上的增速。眼下的调整更像是技术爆发前的蓄力阶段,产业链正在寻找性能与成本的黄金平衡点。
在当前形势下,芯塔电子精准锚定国内产业链关键痛点,深耕技术研发和客户服务,与产业链企业达成深度合作,从材料、芯片制造到产品研发,构建起紧密的产业生态闭环,形成国产供应链的技术和成本竞争优势。
行家说三代半:尽管2024年SiC行业进入了阶段性调整期,但也不乏发展亮点。您认为行业去年取得了哪些新的进步?
倪炜江:2024年行业进步主要在以下方面:
应用端,碳化硅在新能源汽车领域持续深化应用,800V高压平台车型加速普及,带动主驱逆变器模块需求激增,系统效率提升至99.5%,续航里程增加5%-10%。中端车型通过“IGBT+SiC”混合方案实现成本与性能平衡,推动技术下沉。
光伏储能领域成为第二增长极,1500V系统中高压SiC器件渗透率提升至25%,组串式逆变器效率突破99.2%,助力新能源发电降本增效。
消费电子领域突破显著,AR/MR设备采用碳化硅散热基板,解决微型化带来的热堆积难题;超充桩采用三电平拓扑方案,损耗显著降低。
同时,碳化硅器件在众多新兴场景完成多点突破,比如电焊机、电动船舶、低空经济、特种电源及航天领域等,工业与特种领域成为差异化竞争主战场。这些技术进步推动国产碳化硅从“跟跑”转向“并跑”,为全球市场竞争力提升奠定基础。
产业端,2024 年,国内碳化硅产业迈入新阶段,堪称 “8 英寸碳化硅元年”。随着 8 英寸衬底量产良率提升、成本降低,未来产线数量将快速增长。不过,要让 8 英寸产品具备性价比优势,仍需时间打磨。
8 英寸产线大规模铺设,产能、投资运营资金倍数级攀升,加速了碳化硅器件在传统领域的替代,以及在新能源汽车等新兴产业的导入,但这也带来挑战,企业需在成本控制、技术创新等方面持续发力,应对产能过剩风险,满足市场对产品性能与价格的严苛要求。
推动SiC MOSFET持续迭代
芯塔电子营收实现翻倍增长
行家说三代半:目前SiC行业仍不断涌现新机遇、新市场,您认为未来SiC行业的发展方向是什么?
倪炜江:展望未来,新能源汽车高压平台、光储一体化系统、超高速充电网络将成为核心增长引擎,工业机器人、数据中心电源等场景逐步放量。智能化制造与系统级创新将推动能效再提升2-3%,支撑碳化硅在智慧能源、高端装备等战略领域的全域渗透。
2024年,芯塔电子推出多款极具特色的TOPSiCTMMOSFET系列产品,连获9项国家发明专利授权。第三代TOPSiCTMMOSFET实现国内率先量产并获重大技术突破:流片良率平均高达98%以上,Chip size 较上一代锐减32%,Rsp跃居国内前列。面对下游客户多样化应用场景,我们开发了丰富的封装形式,以更小尺寸、更低干扰、卓越热管理与高可靠性,满足多元市场需求。
未来五年,碳化硅将从“替代性技术”转向“定义性技术”,重塑电力电子系统设计范式,开启“高效、紧凑、智能”的能源应用新时代。作为国内碳化硅芯片优秀企业,芯塔电子始终站在产业与技术革新最前沿,全力助推中国电力电子及绿色能源产业高质量发展,引领行业迈向新高度。
行家说三代半:贵公司2025年将重点发力哪些市场或者哪些发展目标?
倪炜江:芯塔电子致力于成为碳化硅领域的技术革新者,目前多款核心产品连获AEC-Q101车规级及H3TRB加严可靠性双认证,深度合作新能源汽车重要客户,强势进军EV、光伏储能、充电桩、高端电源等关键领域头部客户阵营。
芯塔电子于新兴领域率先突围,已成功帮助多家客户实现首次碳化硅芯片国产化替代。2024年全年营收翻倍增长,市场版图持续扩张至20余个细分领域。
2025年我们将推出第四代平面TOPSiCTMMOSFET技术平台和沟槽TOPSiCTMMOSFET技术平台,产品额定电压扩展至2200V以上。积极引入多家战略合作伙伴,进行技术等多方面的协同创新,用先进的碳化硅技术推动电力电子系统的创新和产业升级。