连获六项发明，芯塔电子碳化硅技术布局实现体系化突破

近日，安徽芯塔电子科技有限公司在技术创新领域取得重要进展，连续获得国家知识产权局授权的六项发明专利及一项计算机软件著作权专利。这批专利涵盖了碳化硅功率半导体从器件结构设计、制造工艺到封装测试的全链条技术环节，标志着企业在宽禁带半导体领域的创新布局进入体系化加速发展新阶段。

本次获得的六项发明专利具有明确的技术先进性和产业应用价值，分别为：“碳化硅阶梯沟槽MOSFET及其制造方法（系列1）”、“碳化硅阶梯沟槽MOSFET及其制造方法（系列2）”“SiC晶圆级封装结构及其制造方法”、“改善雪崩能力的SiC JFET器件及其制造方法”、“低比导通电阻且高可靠性的碳化硅功率器件及制造方法、“碳化硅沟槽功率器件及其制造方法”，一项计算机软件著作权专利为“半导体CP测试数据处理系统 V1.0”。

值得注意的是，这些专利并非孤立的技术突破，而是形成了相互支撑的技术体系，实现了对碳化硅功率半导体核心技术链的垂直整合。其在器件层面聚焦于“碳化硅阶梯沟槽MOSFET”等前沿元胞结构优化创新；在工艺层面攻克了“改善雪崩能力”与“低比导通电阻、高可靠性”等关键电性能瓶颈；并延伸至“SiC晶圆级封装”等先进封装技术，最终通过“半导体CP测试数据处理系统”完成了测试环节的智能化闭环。这一覆盖“芯片设计-制造工艺-封装集成-测试分析”的全流程专利矩阵，为公司构筑了坚实的技术壁垒与核心竞争力。

本次集中获得七项知识产权授权，标志着芯塔电子在碳化硅技术领域实现了从单一技术突破向系统化创新能力的重要跃升。该系列专利围绕碳化硅功率半导体的器件结构、关键工艺、先进封装与智能测试等环节构建了完整的技术闭环，不仅体现了企业在核心技术层面的深度布局与协同优势，也为产品持续迭代与规模化应用夯实了基础。截至目前，芯塔电子累计已授权发明专利达17项，进一步巩固了其在高端功率半导体领域的综合竞争力与产业影响力。

面对新能源汽车、工业控制等产业对功率半导体日益苛刻的需求，此次全面的专利布局，标志着芯塔电子已在碳化硅技术领域建立起体系化的竞争优势。相关技术的产业化，不仅将直接赋能客户，提供更具市场竞争力的高性能解决方案，更将为提升我国功率半导体产业链的自主可控能力贡献关键力量。展望未来，芯塔电子将持续深化研发与知识产权布局，以技术创新驱动高质量发展，与客户及产业共同前行。