芯塔电子第三代SiC MOSFET获评产业创新标杆！

11月25日，“2025企创融通汇宽禁带半导体材料专场活动”在河南郑州成功举办。活动期间，芯塔电子自主研发的第三代 SiC MOSFET技术方案，凭借其领先的技术优势与明确的应用价值，经权威评审，成功入选宽禁带半导体材料领域优秀解决方案并获颁奖项。      

本次获奖方案，直指行业长期面临的栅氧可靠性挑战。芯塔电子通过与合作伙伴技术优化和密切协作，将衬底缺陷密度成功控制在车规级要求范围内，从源头保障了器件的高可靠性；在核心工艺上，通过创新的栅氧工艺及界面调控技术，显著降低了界面态密度和栅氧缺陷，从而实现了卓越的阈值电压稳定性和长期可靠性。经严格测试验证，该方案栅氧本征寿命超过1万年，产品已通过2000小时以上高温栅偏测试。

这一突破性成果不仅为新能源汽车主驱逆变器、车载电源及算力电源等高端应用提供了性能媲美国际标杆、供应安全自主的优质选择，更展现了芯塔电子在前沿技术领域的深厚积累与创新能力。     

本次活动由中国科协企业创新服务中心主办，中关村产业技术联盟联合会、中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、中材人工晶体研究院有限公司以及《人工晶体学报》承办，汇聚了产学研各界权威专家与产业链领军企业。该荣誉的获得再次充分体现了行业对芯塔电子技术创新实力与产品化能力的高度认可。      

芯塔电子将继续秉持开放合作的态度，加大研发投入，致力于突破宽禁带半导体领域更多关键技术，积极融入国家半导体产业发展战略。我们愿与产业链上下游伙伴携手，共同推动中国半导体科技自立自强，为全球绿色能源革命和智能社会发展贡献“芯”力量。