芯塔电子发布突破性新一代SiC MOSFET​！

近日，芯塔电子正式发布其突破性的新一代SiC MOSFET产品，以底层技术革新回应全球碳中和战略下电动汽车、光伏储能、算力中心等应用对功率转换效率、密度及可靠性的极限需求。

此次推出的产品基于公司自主开发的TOPE XM4.0工艺平台，在原胞设计、栅极工程及终端结构等核心层面实现全面突破，成功破解了高频工况下开关损耗与导通电阻的权衡难题、高可靠性要求与系统成本的平衡挑战，以及驱动复杂度与性能提升的固有矛盾。

通过这一全栈式创新，新品在关键性能指标上实现同步跨越，不仅显著降低比导通电阻与开关损耗，更在易用性和鲁棒性方面树立新的标杆，为客户提供兼具卓越能效、高功率密度和长效稳定性的系统级解决方案，助力其在激烈市场竞争中构建核心优势。

在极致能效与功率密度方面，产品表现突出：其全温区低损耗特性显著，比导通电阻较上一代产品降低12%，RDS(on)温升系数低至1.38（150°C/25°C），确保了设备在全工况下的高效稳定运行。开关损耗业界领先，关断损耗较其他头部友商产品低50%，使其在高频应用场景下能效优势一目了然。

同时，产品体二极管反向恢复能力出众，反向恢复电荷比其他头部友商低25%，有力支持功率系统实现高频低噪运行，有效规避了反向恢复可能诱发的多管并联器件运行中的高频振荡风险。这些性能的提升，源于芯塔电子领先的精细化原胞结构设计，该设计显著提升了单位面积的通流能力；通过对栅阻、跨导、电容等关键底层参数的优化，大幅改善了开关性能；优化后的离子注入和高温退火等关键工艺，则直接提升了体二极管的反向恢复特性。图示：TOPE G4产品与其他头部友商的关断波形对比，芯塔电子新一代产品拥有更快的关断响应，更高的dv/dt耐受能力，以及更低的关断损耗。

在坚固的可靠性与鲁棒性方面，新品同样硬核。其短路耐受时间突破3μs，确保在极端工况下的稳定表现；雪崩能量可达2.5J以上，具备耐受瞬时过压冲击的强大能力。漏极漏电流表现出优异的温度稳定性，高温IDSS较其他头部友商低2个数量级，漏电流和雪崩击穿电压更加耐久可靠。关键可靠性项目已通过2000小时以上的加严验证，各项指标均满足长期严苛服役要求，这得益于优化的MOS沟道和JFET区设计，以及高可靠的耐压结构设计和击穿点控制技术。

产品的卓越易用性与兼容性使其能够大幅简化客户设计。新一代器件的阈值电压表现出优异的温度稳定性，高温阈值电压为常温值的70%以上，有效杜绝误导通隐患。优异的抗dv/dt干扰能力，可耐受150V/ns以上的严苛工况。尤为关键的是，其阈值电压与体二极管参数一致性表现出色，片内标准偏差均＜0.1V，为多管并联的大功率系统稳定运行提供了坚实保障。器件支持15V至18V的宽范围驱动电压，进一步降低了驱动电路的设计难度与适配成本。

产品的卓越品质离不开坚实的制造与质量基石。通过对关键工艺路径的优化，实现了器件厚度与线宽的高度一致性，不仅保障了主流产品99%以上的高良率，更赋予了器件优异的关键参数均匀性。在质量方面，器件严格参照AEC-Q101标准进行加严考核，顺利通过静态与动态可靠性双重验证，为实现10年以上的长效稳定服役周期提供了有力保障。目前，产品已经进入客户批量试产阶段。

芯塔电子新一代SiC MOSFET的成功推出，不仅是单一产品的迭代，更是公司对技术纵深探索的成果结晶，体现了对产业发展趋势的深刻洞察。展望未来，芯塔电子将继续秉持创新精神，与产业链上下游伙伴紧密合作，联合导入前沿技术，共研定制化解决方案，以开放的姿态赋能全球能源转型与产业升级，驱动更加绿色、高效的未来。